Anzahl Durchsuchen:0 Autor:Site Editor veröffentlichen Zeit: 2024-02-24 Herkunft:Powered
Da die polykristalline Silizium-Dünnschichtbatterie weitaus weniger Silizium verbraucht als monokristallines Silizium, besteht kein Problem mit Effizienzeinbußen.Und es ist möglich, auf billigen Substratmaterialien herzustellen, seine Kosten sind viel niedriger als die von monokristallinen Siliziumzellen und seine Effizienz ist höher als die von amorphen Silizium-Dünnschichtzellen.Daher werden Polysilizium-Dünnschichtbatterien bald eine beherrschende Stellung einnehmen Batterie-Backup-Solar Markt.Werfen wir als Nächstes einen Blick auf die detaillierte Einführung des Polysilizium-Dünnfilms Hochspannungs-Solarbatterie.
• Hergestellt zu einer wertvollen Hochspannungs-Solarbatterie.
• Die Umwandlungseffizienz von Hochspannungs-Solarbatterien wird verbessert.
Das übliche kristalline Silizium Hochspannungs-Solarbatterie wird auf einem hochwertigen Siliziumwafer mit einer Dicke von 350-450 hergestellt μm, das aus einem gezogenen oder gegossenen Siliziumblock gesägt wird.Daher wird mehr Siliziummaterial verbraucht.Um Material einzusparen, werden seit Mitte der 1970er-Jahre Polysiliziumfolien auf preiswerten Substraten abgeschieden.Aufgrund der Korngröße des aufgewachsenen Siliziumfilms jedoch ein wertvoller Hochspannungs-Lithiumbatterie konnte nicht hergestellt werden.Um dünne Filme mit großen Körnern zu erhalten, hat man nicht aufgehört zu forschen und viele Methoden vorgeschlagen.Zur Herstellung polykristalliner Silizium-Dünnschichtzellen werden derzeit hauptsächlich chemische Gasphasenabscheidungsverfahren eingesetzt, darunter die Prozesse der chemischen Gasphasenabscheidung bei niedrigem Druck (LPCVD) und der plasmaunterstützten chemischen Gasphasenabscheidung (PECVD).Darüber hinaus können auch Flüssigphasenepitaxie (LPPE) und Sputtering-Abscheidungsverfahren zur Herstellung polykristalliner Silizium-Dünnschichtbatterien eingesetzt werden.
Bei der chemischen Gasphasenabscheidung wird hauptsächlich SiH2Cl2, SiHCl3, Sicl4 oder SiH4 als Reaktionsgas verwendet, das in einer bestimmten Schutzatmosphäre zu Siliziumatomen reagiert und diese auf dem erhitzten Substrat abscheidet.Das Substratmaterial ist im Allgemeinen Si, SiO2, Si3N4 usw. Studien haben jedoch ergeben, dass es schwierig ist, größere Körner auf Nicht-Silizium-Substraten zu bilden, und dass es leicht zur Bildung von Hohlräumen zwischen den Körnern kommt.Die Lösung dieses Problems besteht darin, mithilfe von LPCVD zunächst eine dünne Schicht der amorphen Siliziumschicht auf dem Substrat abzuscheiden und diese Schicht dann zu tempern Die amorphe Siliziumschicht, um größere Körner zu erhalten.Auf diesem Keim wird dann ein dicker Polysiliziumfilm abgeschieden.Daher ist die Rekristallisationstechnologie zweifellos ein sehr wichtiges Bindeglied.Zu den derzeit verwendeten Technologien gehören hauptsächlich die Festphasenkristallisation und die Mittelzonenschmelzrekristallisation.Zusätzlich zum Rekristallisationsprozess werden polykristalline Silizium-Dünnschichtbatterien eingesetzt.Darüber hinaus werden fast alle Technologien zur Herstellung monokristalliner Silizium-Hochspannungssolarbatterien übernommen, so dass die Umwandlungseffizienz der Hochspannung Solarbatterie Die so hergestellte Qualität wird deutlich verbessert.
Das Prinzip der Flüssigphasenepitaxie (LPE) besteht darin, Silizium in der Matrix zu schmelzen und die Temperatur zu senken, um einen Siliziumfilm auszuscheiden.Das China Optoelectronics Development Technology Center nutzt Flüssigphasenepitaxie, um Siliziumkörner auf Siliziumwafern metallurgischer Qualität wachsen zu lassen.Und entwarf eine neue Art von Hochspannungs-Solarbatterie ähnlich der kristallinen Silizium-Dünnschicht-Hochspannungs-Solarbatterie, die als „Siliziumkorn“ bezeichnet wird. LFP-Energiespeicher.Leistungsberichte liegen jedoch noch nicht vor.
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